副教授
电 & 计算机工程

毗瑟挐Lakdawala

757-748-6744
httpAppl//www.ee.gypsyleina.com/~lakdawal/

考夫曼大厅217号
诺福克 , 23529年

Dr. Lakdawala在班加罗尔大学获得了学士学位, 印度, in 1972, 印度科学学院的硕士学位, 印度, in 1974, Ph值.D. 1980年毕业于英国利物浦大学电气工程专业. 他曾担任M/s Jyoti有限公司的助理开发工程师 & 仪器变压器事业部D中心. 他于1980年加入利物浦大学电气工程系，担任高级研究助理. 1982年，他加入橡树岭国家实验室原子分子和高压物理小组，担任博士后研究助理. 他的出版物包括关于氟化合物中的电子附着的文章, 压缩气体和真空中的击穿研究, 化合物半导体材料表征与模拟研究, 以及大功率半导体开关. Dr. 拉克达瓦拉于1983年秋天加入最靠谱的网赌软件. 从1988年到1998年，他担任研究生项目主任. 他目前是首席部门顾问和电子与计算机工程副教授.

Ph.D. 利物浦大学电气工程学士(1980年)

M.E. 电气工程，印度科学学院，(1974)

B.E. 班加罗尔大学电气工程学士(1972年)

阴极发光电子激活电子束控制体半导体开关
主办机构:
获得的日期: 1990-04-10
阴极发光电子激活电子束控制体半导体开关
主办机构:
获得的日期: 1989-05-16
光控体半导体开关，不需要辐射来维持传导
主办机构:
获得的日期: 1989-04-25

合同、补助金和赞助研究

Lakdawala V. K.查图维迪，S.阿肯，O. 皮克林，W. “实施补助金:模拟和可视化增强工程教育”999,741美元. 2005年9月15日至2008年8月31日
幸福,我. P.冈萨雷斯，O.， Belfore, L. A.拉克达瓦拉，V. K.皮革，J. F.麦金太尔，R. 扎霍利安，S. 计算机辅助互动反馈在工程教育中解决问题的作用$75,000. 联邦. -
Lakdawala V. K. “联合数字图书馆项目”60,672美元. 1997年10月1日- 1998年9月30日
阿尔宾,年代.米尔克，R. R. 和V州的拉克达瓦拉. K. “一种薄膜倾斜传感器的设计与开发”74,181美元. 私人. 1995年11月至1996年4月
Lakdawala V. K. 和K . Schoenbach. H. “用于脉冲功率应用的大块光控半导体开关(BOSS)技术的发展”680美元,000. 1992年8月1日至1995年7月31日
Lakdawala V. K.Schoenbach K. H. Gerdin G. “电子束控制半导体开关”19万美元. 1990年1月1日- 1993年8月31日
Lakdawala V. K. 和K . Schoenbach. H. “激光控制的半导体开关”550,346美元. 1989年7月1日- 1992年6月30日
Lakdawala V. K. “激光控制的高功率半导体开路开关”15000美元. 1990年7月23日- 1991年1月23日
Lakdawala V. K. “第三届SDIO/ONR脉冲功率物理会议”$11,470. 1990年4月15日- 1990年7月15日
Lakdawala V. K. 和K . Schoenbach. H. “半导体开关的制备”3000美元. 1989年4月1日- 1990年3月15日
Lakdawala V. K. 和K . Schoenbach. H. “电子束控制的半导体开关”529,712美元. 1986年6月1日至1989年5月31日
Lakdawala V. K. 和K . Schoenbach. H. “激光控制的半导体开关”585,270美元. 1986年5月16日- 1989年5月15日
阿尔宾,年代. 和V州的拉克达瓦拉. K. “金刚石薄膜生长和特性的研究”$48,874. 1987年5月16日- 1988年5月15日
阿尔宾,年代. 和V州的拉克达瓦拉. K. “激光二极管和材料的电学和光学特性”，$5,005. 1987年1月1日至5月15日
Lakdawala V. K. "真空中脉冲表面闪络的研究"三千美元. 1985年5月- 1986年5月
Lakdawala V. K. Radhakrishnan, D. “VLSI易于测试的设计和器件建模”$25,756. 1984年9月至1985年8月
Lakdawala V. K. 真空中脉冲表面闪络的研究，$39,939. 1984年5月- 1985年5月

文章

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Lakdawala V. K. 莫鲁奇，J. (1982). SO2和SO2- o2混合物中的附着、脱离和离子-分子反应. J. phy D. :. 理论物理. 14 , pp. 2015.
Lakdawala V. K. 莫鲁奇，J. (1980). SF6-N2混合物在低能量范围内的附着系数和离子迁移率的测量.2 - 4.0 eV. J. 理论物理. D::. 理论物理. 13 , pp. 1439.
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书的章节

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会议进行

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Lakdawala V. K.Schoenbach K.，高，S. 马佐拉，M. (1988). 通过深电平的光交换(pp. B3)诺福克，弗吉尼亚州:光束和电子束控制半导体开关.
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Schoenbach K.，德语，R.拉克达瓦拉，V. K.施密特，K. 阿尔宾，S. (1987). 半导体开关的电子束和光控制的概念(pp. 85)洛杉矶，加州:SPIE会议.
Schoenbach K.，德语，R.拉克达瓦拉，V. K.施密特，K. 阿尔宾，S. (1987). 大块半导体开关的光束和电子束控制概念, CA: SPIE学报.

演讲

Lakdawala V. K. Gerdin G. (二零零二年四月十二日). 部分放电数字采集系统的研制 & Comp Engg., ODU.
Stoudt D.布林克曼，R.瓦哈拉，L. L.Schoenbach K. 和V州的拉克达瓦拉. K. (1989年5月). GaAs衬底混沌振荡的研究[j]. Am. 理论物理. Soc.， APS春季会议，华盛顿特区.
  • 2001年:工程学院优秀教师指导奖 & 技术,ODU
  • 1986:领导奖，Eta Kappa Nu, Eta Epsilon分会
  • 1974: N.R. 印度科学研究所康巴提纪念奖
  • 1972年:获班加罗尔大学金奖
  • 1972年:国家教育奖 & 青年服务部. 来自印度卡纳塔克邦
  • 1971年:印度工程师学会奖

组织结构图